Boletín Upiita

ESTUDIO DE LOS MECANISMOS DE FUGA DE CORRIENTE PARA LA OPTIMIZACIÓN DE DETECTORES DE InGaAsSb

Un equipo de investigadores desarrolla un modelo para optimizar la eficiencia cuántica de detectores de radiación IR en base a semiconductores III-V. Utilizan la técnica de crecimiento de epitaxia en fase líquida para obtener homouniones p-n con alta calidad cristalina.